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参数资料
| 型号： | NTP60N06L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3075pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP60N06LOS |
NTP60N06L, NTB60N06L
in the accompanying graph (Figure 12). Maximum energy at
currents below rated continuous I D can safely be assumed to
equal the values indicated.
SAFE OPERATING AREA
1000
500
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
400
I D = 55 A
100
300
10
100 m s
1 ms
200
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
100
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.05
0.02
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PV37Z500C31A00 | TRIMMER 50 OHM 0.25W TH |
| PV37Z204C31A00 | TRIMMER 200K OHM 0.25W TH |
| TH3D336K016F0600 | CAP TANT 33UF 16V 10% 2917 |
| A7NOK-1510M | DSUB CABL-AMN15K/ AE15M / AFN15K |
| PV37Z105C31A00 | TRIMMER 1M OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP60N06L/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts， Logic Level |
| NTP60N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP6410AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ |
| NTP6410ANG | 功能描述:MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP6411AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ |
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