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参数资料
| 型号： | NTP85N03 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP85N03OS |
NTP85N03, NTB85N03
50
V GS = 10 V
3.8 V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
40
8V
6V
60
30
5V
3.6 V
50
20
4.5 V
4V
3.4 V
40
30
T J = 25 ° C
10
2.8 V
3V
3.2 V
20
T J = 100 ° C
10
T J = ?55 ° C
0
0
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.07
0.06
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.015
T J = 25 ° C
0.05
0.04
0.03
0.01
V GS = 4.5 V
0.02
0.01
0.005
V GS = 10 V
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
30
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.01
I D = 40 A
1000
V GS = 0 V
V DS = 10 V
0.0075
0.005
100
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
10
0.0025
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
1
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PVZ3K225E01B00 | TRIMMER 2.2M OHM 0.1W SMD |
| ABM8-16.000MHZ-B2-T | CRYSTAL 16.000MHZ 18PF SMD |
| NTB75N03R | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK |
| AML21EBA2AC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| PVZ3K224E01R00 | TRIMMER 220K OHM 0.1W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP85N03G | 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP85N03RG | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTP85N08/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET |
| NTP8N50/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 8 Amps， 500 Volts |
| NTP90N02 | 功能描述:MOSFET 24V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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