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参数资料
| 型号： | NTQD6866R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 940mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTQD6866R2OS |
NTQD6866R2
16
14 5 V
12
10
3V
V GS = 10 V
2V
T J = 25 ° C
1.8 V
18
16
14
12
V DS ≥ 10 V
8
6
4
2
0
0
0.2
0.4
2.2 V
0.6 0.8 1
1.6 V
1.4 V
1.2 V
1.2 1.4 1.6 1.8
2
10
8
6
4
2
0
0.5
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
1
T J = ? 55 ° C
1.5 2
2.5
0.045
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.04
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
I D = 5.8 A
T J = 25 ° C
0.03
0.02
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.01
0
2
4
6
8
0.01
0
4
6
8
10
12
14
16
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1
1000
100
T J = 100 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4303.5225 | MOD PWR ENTRY MED 3POS SW 4A PNL |
| FVXO-PC73BR-45.696 | OSC 45.696 MHZ 3.3V PECL SMD |
| NTMD2C02R2 | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| 5636A17 | SWITCH TOGGLE MINI |
| 34A3P11B1M1RT | TOG MINI 3PDT O-N-O T SL LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTQD6866R2G | 功能描述:MOSFET 20V 5.8A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts |
| NTQD6968N | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968NR2 | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968NR2G | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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