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参数资料
| 型号： | NTQD6968NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTQD6968NR2GOS |
NTQD6968N
14
12
V GS = 10, 5, 3 and 2.2 V resp.
1.8 V
T J = 25 ° C
1.6 V
14
12
V DS ≥ 10 V
10
8
10
8
6
4
2
0
1.4 V
1.2 V
6
4
2
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
0
0.5
1
1.5 2
2.5
0.03
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.04
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.02
I D = 7.0 A
T J = 25 ° C
0.035
0.03
T J = 25 ° C
0.025
V GS = 2.5 V
0.01
0.02
0.015
V GS = 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0.01
2
4
6
8
10
12
14
2
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D = 3.5 A
100000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
V GS = 4.5 V
1.5
10000
1
0.5
1000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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