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参数资料
| 型号： | NTR4170NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 432pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTR4170NT1GOSDKR |
NTR4170N
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.5
3.0
2.5
10 V
2.5 V
4.5 V
2.0 V
T J = 25 ° C
1.8 V
7.0
6.0
5.0
V DS ≥ 10 V
2.0
1.5
1.7 V
4.0
3.0
1.0
1.6 V
2.0
T J = 125 ° C
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.5 V
V GS = 1.4 V
2.5 3.0
1.0
0
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.8 2.0 2.2
2.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.10
0.08
I D = 3.2 A
T J = 25 ° C
0.08
0.07
0.06
0.05
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.04
V GS = 10 V
0.06
0.04
0.03
0.02
0.01
0.02
1.0 2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
1000
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5.0
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638237975 | LOCATOR ASSEMBLY FOR 0638237900 |
| 0638237575 | LOCATOR ASSEMBLY FOR 0638237500 |
| 0638237175 | LOCATOR ASSEMBLY FOR 0638237100 |
| BSO033N03MS G | MOSFET N-CH 30V 17A DSO-8 |
| 0638238375 | LOCATOR ASSEMBLY FOR 0638238300 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4170NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SOT23 30V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4171P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23 |
| NTR4171PT1G | 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V TR 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4171PT3G | 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23 |
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