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参数资料
| 型号： | NTS4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 329mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTS4101PT1GOSDKR |
NTS4101P
TYPICAL CHARACTERISTICS
5
4
3
Q T
V GS
3
2
V GS = 0 V
2
Q 1
Q 2
1
1
0
0
2
4
6
I D = ? 1.0 A
T J = 25 ° C
8
0
0
0.2
T J = 125 ° C
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. Diode Forward Voltage versus
Current
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PDF描述 |
|---|---|
| 62-227B/LK2C-N4040N4P3S2Z6/2T | LED MID PWR .4W WHT 5.6X3 SMD |
| BS170RLRAG | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 62-227B/LK2C-N3030N4P3S2Z6/2T | LED MID PWR .4W WHT 5.6X3 SMD |
| 62-227B/KK2C-N4040N4P3S2Z6/2T | LED MID PWR .4W WHT 5.6X3 SMD |
| FDV302P_NB8V001 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTS4101PT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTS4-10A | 功能描述:SPACER NYL M4/M3THREAD .40" RoHS:是 类别:硬件，紧固件，配件 >> 电路板衬垫，支座 系列:NTS 标准包装:1,000 系列:900 类型:圆形，无螺纹，母形/母形 尺寸:0.156"（3.96mm）5/32" 外径 螺纹/螺钉/孔尺寸:0.063"（1.60mm）内径 长度 - 总体:1.210"（30.73mm） 材质:尼龙 颜色:自然色 镀层:- 板间高度:1.210" (30.73mm) |
| NTS4172N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 1.7 A, Single N−Channel, SC−70 |
| NTS4172NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SC70 30V TR 0.085R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTS4173P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −1.3 A, Single P−Channel, SC−70 |
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