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参数资料
| 型号： | NTSJ20100CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 830mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 800µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTSJ20100CTGOS |
    NTST20100CT, NTSB20100CT?1G, NTSJ20100CTG, NTSB20100CTG http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 100 V Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 130 °C) Per device Per diode IF(AV) 20 10 A Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC = 125 °C) Per device Per diode IFRM 40 20 A Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 150 A Operating Junction Temperature TJ ?40 to +150 °C Storage Temperature Tstg ?40 to +150 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Rating Symbol NTST20100CTG, NTSB20100CT?1G NTSB20100CTG NTSJ20100CTG Unit Maximum Thermal Resistance per Diode Junction?to?Case Junction?to?Ambient RJC RJA 2.5 70 1.5 46.9 4.49 105 °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg unless otherwise noted) Rating Symbol Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (IF = 5 A, T J = 25 °C) (IF = 10 A, T J = 25 °C) (IF = 5 A, T J = 125 °C) (IF = 10 A, T J = 125 °C) vF 0.55 0.65 0.50 0.58 ? 0.83 ? 0.68 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) (VR = 70 V, T J = 25 °C) (VR = 70 V, T J = 125 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 25 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 125 °C) IR 17 5.3 ? 12 ? ? 800 25 A mA A mA 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2.0% |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 346-062-541-201 | CARDEDGE 62POS DUAL .125 GREEN |
| LXC120-2100SW | POWER SUPPLY LED 120W 2100MA |
| VI-J3F-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
| 346-062-540-804 | CARDEDGE 62POS DUAL .125 GREEN |
| IXBD4411PI | IC HIGH SIDE DRIVER 16DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTSJ20120CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSJ2080CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSJ20U100CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSJ30100CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSJ30120CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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