参数资料
型号: NTST20120CTG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 127K
描述: DIODE SCHOTTKY 10A 120V TO-220AB
标准包装: 50
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 700µA @ 120V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 120V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: NTST20120CTGOS
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT?1G, NTSB20120CTG,
NTSB20120CTT4G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISITICS
Figure 1. Typical Instantaneous Forward
Characteristics
Figure 2. Typical Reverse Current
Characteristics
Figure 3. Typical Junction Capacitance
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
100
1.0
0.1
0 0.2 0.4
0.001
20
VR, INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
I
0.6 0.8 1.0
30 50 70 9040 60
80
TA
= 25
°C
TA
= 125
°C
TA
= 150
°C
0.01
0.1
1.0
10
100
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mA)
R
1.2
120
10
0.1
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
10000
1000
110100
10
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
Figure 4. Current Derating per Leg
0
5
10
15
20
0 20 40 60 80 100 120 140
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
SQUARE WAVE
dc
RJC
= 1.3
°C/W
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 5. Current Derating
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 20 40 60 80 100 120 140
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
SQUARE WAVE
dc
RJC
= 1.3
°C/W
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 6. Forward Power Dissipation
0
5
10
15
20
25
30
0 2 10 12 14468
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
P
F(AV)
, AVERAGE FORWARD
POWER DISSIPATION (W)
SQUARE
WAVE
dc
TJ
= 150
°C
IPK/IAV
= 5
IPK/IAV
= 10
IPK/IAV
= 20
1.4 1.6 1.8
100 110
100
TJ
= 25
°C
TA
= 25
°C
TA
= 125
°C
TA
= 150
°C
相关PDF资料
PDF描述
A7SSG-0910G DSUB CABL-AFM09G/ AE10G / AFM09G
S1DA-E3/61T DIODE GPP 1A 200V SMA DO-214AC
ECM28DCTN CONN EDGECARD 56POS DIP .156 SLD
MBR4045PT DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-247AD
MBR4050PT DIODE SCHOTTKY 40A 50V TO-247AD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTST20U100CT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky
NTST20U100CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 20A 100V TO-220 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTST30100CT-D 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
NTST30100CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30100 TO-220AB RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTST30100SG 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifiers 100V 30A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel