- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20758 > NTST30100SG (ON Semiconductor)IC RECT 30A 100VIN TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTST30100SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | IC RECT 30A 100VIN TO-220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 30A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTST30100SG-ND NTST30100SGOS |
    NTST30100SG, NTSB30100S?1G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 100 V Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 105 °C) IF(AV) 30 A Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC = 95 °C) IFRM 60 A Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 250 A Operating Junction Temperature TJ ?40 to +150 °C Storage Temperature Tstg ?65 to +175 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Rating Symbol Value Unit Maximum Thermal Resistance Junction?to?Case Junction?to?Ambient RJC RJA 2.0 70 °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating Symbol Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (IF = 5 A, T J = 25 °C) (IF = 10 A, T J = 25 °C) (IF = 30 A, T J = 25 °C) (IF = 5 A, T J = 125 °C) (IF = 10 A, T J = 125 °C) (IF = 30 A, T J = 125 °C) vF 0.47 0.55 0.84 0.39 0.51 0.7 ? ? 0.95 ? ? 0.78 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) (VR = 70 V, T J = 25 °C) (VR = 70 V, T J = 125 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 25 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 125 °C) IR 27 11 70 23 1000 45 A mA A mA 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2.0% |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACB56DHFR-S621 | EDGECARD 112POS SMD W/O POST |
| AIML-1206-120K-T | INDUCTOR MULTILAYER 12UH 1206 |
| VE-BWK-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
| ATFC-0603-R10-GT | INDUCTOR THIN FILM 100NH 0603 |
| ABB56DHFR-S621 | EDGECARD 112PS .050 SMD W/O POST |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTST30120CT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
| NTST30120CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTST30U100CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTST40100CTG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:LVFR 40A 100V TO-220AB - Rail/Tube 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Diodes & Rectifiers LVFR 40A 100V TO-220AB 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TUBE / LVFR 40A 100V TO-220AB |
| NTST40120CT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。