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参数资料
| 型号： | NTTFS4800NTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 964pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4800N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
7.6
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
19.5
19
2.1
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 20 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.93
0.83
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
16.8
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d IS /d t = 100 A/ m s,
I S = 20 A
8.7
8.1
Reverse Recovery Charge
Q RR
6.8
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.66
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.20
1.5
Gate Resistance
R G
1.5
3.0
W
5. Pulse Test: pulse width = 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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参数描述 |
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| NTTFS4821NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4821NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTTFS4823NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 50A 17.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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