参数资料
型号: NTTFS4937NTWG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2540pF @ 15V
功率 - 最大: 860mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)
NTTFS4937N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 50%
10
1
20%
10%
5%
2%
1%
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
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PDF描述
A223S1YWB SWITCH TOGGLE DPDT WIRE WRAP
CDV19CF100JO3F CAP MICA 10PF 1KV 5% RADIAL
FCN2820A274K-Z CAP FILM 0.27UF 100VDC 2820
TPB11FGRA204 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
MCM01-001D200J-F CAP MICA 20PF 500V 5% SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTTFS4939N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, 8FL
NTTFS4939NTAG 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4939NTWG 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4941N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N−Channel, μ8FL
NTTFS4941NTAG 功能描述:MOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube