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参数资料
| 型号： | NTTFS4941NTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1619pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 840mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4941N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
10
1800
1600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
9
8
QT
1400
1200
7
6
1000
5
Qgd
800
600
400
200
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
4
3
2
1
0
0
Qgs
2
4
6
8
10 12
14 16
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 20 A
18 20 22
24
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T J = 25 ° C
0.8
0.9
1.0
1000
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
50
40
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 29 A
10
10 m s
100 m s
1 ms
30
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
20
10
0.01
0.01
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S23120HR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| C3391-49.152 | OSC 49.152 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF8S23120HR3 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
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| MRF6V4300NR1 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4943N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, μ8FL |
| NTTFS4943NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 41A 7.2 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4943NTWG | 功能描述:MOSFET 30V 41A 7.2 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4945N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel, μ8FL |
| NTTFS4945NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 47A 8.4MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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