参数资料
| 型号： | NTVB170NSC-L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC THY SURGE PROTECTOR 180V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 220V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 99pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTVB Series
Thyristor Surge Protectors
High Voltage Bidirectional
NTVB Series Thyristor Surge Protector Devices (TSPD) protect
telecommunication circuits such as central office, access, and
customer premises equipment from overvoltage conditions. These are
bidirectional devices so they are able to have functionality of 2 devices
in one package, saving valuable space on board layout.
These devices will act as a crowbar when overvoltage occurs and will
divert the energy away from circuit or device that is being protected.
Use of the NTVB Series in equipment will help meet various
regulatory requirements including: GR ? 1089 ? CORE, IEC
61000 ? 4 ? 5, ITU K.20/21/45, IEC 60950, TIA ? 968 ? A, FCC Part 68,
http://onsemi.com
BIDIRECTIONAL SURFACE
MOUNT THYRISTOR
64 ? 350 VOLTS
EN 60950, UL 1950.
ELECTRICAL PARAMETERS
MT1
MT2
V DRM
V (BO)
V T
I DRM
I (BO)
I T
I H
Device
V
V
V
m A
mA
A
mA
NTVB058NSx ? L
NTVB065NSx ? L
NTVB090NSx ? L
NTVB170Sx ? L
NTVB170NSx ? L
NTVB180Sx ? L
NTVB200Sx ? L
NTVB220NSx ? L
NTVB270Sx ? L
58
65
90
170
170
170
200
220
270
77
88
130
265
220
240
320
300
365
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
5
5
5
5
800
800
800
800
800
800
800
800
800
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
150
150
150
150
150
150
150
150
150
SMB
JEDEC DO ? 214AA
CASE 403C
MARKING DIAGRAM
AYWW
XXXX G
G
XXXX = Specific Device Code
NTVB275NSx ? L 275
NTVB300Sx ? L 300
SURGE DATA RATINGS
350
400
4
4
5
5
800
800
2.2
2.2
150
150
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb ? Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
Specification
Waveform
Voltage Current
m s m s
x = series ratings
A B C
Unit
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 4 of
this data sheet.
GR ? 1089 ? CORE
TIA ? 968 ? A
GR ? 1089 ? CORE
TIA ? 968 ? A
ITU ? T K.20/21
GR ? 1089 ? CORE
2x10
10x160
10x360
10x560
10x700
10x1000
2x10
10x160
10x360
10x560
5x310
10x1000
150
90
75
50
75
50
250
150
125
100
100
80
500
200
175
150
200
100
A(pk)
*
Recognized Components
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
October, 2010 ? Rev. 0
1
Publication Order Number:
NTVB058NS/D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTVB170SA-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 200V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB170SC-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 100A 170V SURGE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB180SA-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 200V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB200SA-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 50A 260V SURGE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB200SB-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 260V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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