参数资料
| 型号： | NUD3048MT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SW N-CH 100V ESD 6TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Oct/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 65 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 700mA |
| 工作温度： | -25°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NUD3048MT1GOS |
NUD3048
0.5
0.4
V GS = 2.0 V
V GS = 3.0 V
0.70
0.3
0.2
0.1
V GS = 5.0 V
V GS = 7.0 V
V GS = 10 V
0.65
0.60
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.55
0
0.05 0.1
0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
1.4
1.2
I DS (A)
Figure 2. V DS(on) Variation with I DS and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
I D (A)
Figure 3. On Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
? 50
0
50
100
150
0.0
? 10
? 8
? 6
? 4
? 2
0
2
4
6
8
10
R DS(on) VARIATION WITH TEMPERATURE
Figure 4. Variation of R DS(on) with
Temperature and Gate Voltage at I D = 100 mA
7.40E ? 05
7.20E ? 05
7.00E ? 05
V GS (V)
Figure 5. Gate Leakage Current Variation
with Gate Voltage
6.80E ? 05
6.60E ? 05
6.40E ? 05
6.20E ? 05
I DSS
6.00E ? 05
? 40.0 ? 20.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0 100.0 120.0
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 6. Variation of Leakage Current I DSS (A)
with V GS = 0 V and V DS = 100 V
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3
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