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参数资料
| 型号： | NUD3160DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR INDUST SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 2.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3160DMT1OSCT |
NUD3160, SZNUD3160
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
100
90
125 ° C
I D = 250 m A
68.0
67.5
80
70
60
50
40
30
20
10
85 ° C
25 ° C
? 40 ° C
67.0
66.5
66.0
65.5
65.0
64.5
64.0
63.5
63.0
62.5
? 40 ° C
25 ° C
85 ° C
125 ° C
0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
62.0
0.1
1.0
10
100
1000
100
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. On Resistance Variation vs.
Gate ? to ? Source Voltage
600
500
I Z , ZENER CURRENT (mA)
Figure 11. Zener Clamp Voltage vs. Zener
Current
SC74 ? 1 (One Device Powered)
SC74 ? 2 (Both Devices Powered Equally)
10
400
300
SC74 ? 1
SOT23
SC74 ? 2
1
0.1
1.0
10
100
200
0
1 oz. Copper, Single ? sided Board
100 200 300 400
500
600
700
P W , PULSE WIDTH (ms)
Figure 12. Maximum Non ? repetitive Surge
Power vs. Pulse Width
http://onsemi.com
7
COPPER AREA (mm 2 )
Figure 13. Thermal Performance vs. Board
Copper Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBM08DRKH | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| GPP60G-E3/54 | DIODE 6A 400V P600 AXIAL |
| 100R06-127B | CABLE FLAT FLEX 6POS 1MM 5" |
| GPP60D-E3/54 | DIODE 6A 200V P600 AXIAL |
| GPP60B-E3/54 | DIODE 6A 100V P600 AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3160DMT1G | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3160DMT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NUD Series 12 V 263 mA Surface Mount Industrial Inductive Load Driver - SC-74-6 |
| NUD3160LT1 | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3160LT1G | 功能描述:MOSFET 61V Industrial Load Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3212/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Integrated NPN Transistor with Free Wheeling Diode to Drive Inductive Loads |
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