参数资料
型号: NUP4060AXV6T1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IC TVS ARRAY 4LINE SOT-563
产品变化通告: Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.2V
功率(瓦特): 200W
电极标记: 4 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-563
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NUP4060AXV6T1GOSCT
NUP4060AXV6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Diode D 1 , D 2 , and D 3 only)
100
10
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
1
10
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
0.16
t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Width
14
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Power Derating Curve
0.14
0.12
12
10
T A = 25 ° C
0.10
8
0.08
6
0.06
0.04
0.02
0
4
2
0
?60 ?40
?20
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
6
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Reverse Leakage versus
Temperature
BIAS VOLTAGE (V)
Figure 4. Capacitance
100
90
80
70
60
50
t r
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
1
0.1
40
30
20
10
t P
0.01
T A = 25 ° C
0
0
20
40
60
80
0.001
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
t, TIME ( m s)
Figure 5. 8 × 20 m s Pulse Waveform
http://onsemi.com
3
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Forward Voltage
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