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参数资料
| 型号： | NUP4102XV6T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY QUAD BIDIR SOT-563 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.6V |
| 功率（瓦特）： | 75W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NUP4102XV6T1GOSDKR |
NUP4102XV6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25 ° C, unless otherwise specified)
Parameter
Reverse Working Voltage
Conditions
(Note 2)
Symbol
V RWM
Min
Typ
Max
12
Unit
V
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
I T = 1 mA, (Note 3)
V RWM = 12 V
I PP = 3 A, (8x20 m sec
V BR
I R
V C
13.6
10
17.8
100
25
V
nA
V
Waveform)
Maximum Peak Pulse Current
8x20 m sec waveform
I PP
3.0
A
Capacitance
V R = 0 V, f=1 MHz
C j
13
15
pF
(Line to GND)
2. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
3. V BR is measured at pulse test current I T ; Pulse Width 1 ms.
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
110
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
c?t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
25
50
75
100
125
150
24
t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Waveform
14
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Power Derating Curve
22
t P = 10 m sec
T A = 25 ° C
12
10
20
8
18
6
16
14
4
2
12
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
I PP , SURGE CURRENT (A)
Figure 3. Clamping Voltage vs. Peak Pulse
Current (10 m sec Square Wave Pulse)
V BR , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 4. Junction Capacitance vs. Reverse
Voltage
http://onsemi.com
2
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