参数资料
| 型号： | NUP4103FCT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY QUAD UNI 5FLIPCHIP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 5-WFBGA，FCBGA |
| 供应商设备封装： | 5-覆晶（1.32x0.95） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NUP4103FCT1G-ND NUP4103FCT1GOSTR |
NUP4103FC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Reverse Stand ? Off Voltage
Breakdown Voltage
Symbol
V RWM
V BR
Conditions
I RWM = 10 m A (Note 1)
I T = 1.0 mA (Note 2)
Min
6.0
Typ
7.0
Max
5.5
8.0
Unit
V
V
Leakage Current
Junction Capacitance
I R
C J
V RM = 3.3 V per line
V R = 2.5 V, f = 1 MHz
30
100
nA
pF
1. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ) which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
2. V BR is measured at pulse test current I T .
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
50
100.0E ? 9
45
10.0E ? 9
40
35
1.0E ? 9
30
100.0E ? 12
25
20
0
1
2 3
4
5
10.0E ? 12
? 40
? 15
10
35
60
85
V R , Reverse Voltage (V)
Figure 1. Reverse Voltage vs Junction Capacitance
T, Temperature ( ° C)
Figure 2. Reverse Leakage Current
vs Junction Temperature
http://onsemi.com
2
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