参数资料
型号: NUP5150MUTBG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 0K
描述: IC TVS ARRAY 5LINE ESD 6-UDFN
标准包装: 3,000
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.2V
电极标记: 5 通道阵列 - 双向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFDFN
供应商设备封装: 6-UDFN(1.2x1)
包装: 带卷 (TR)
NUP5150MU
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Parameter
Reverse Working Voltage
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Capacitance
Conditions
(Note 1)
I T = 1 mA, (Note 2)
V RWM = 3 V
V R = 0 V, f = 1 MHz (Line to GND)
Symbol
V RWM
V BR
I R
C J
Min
6.2
-
-
Typ
-
6.8
12
Max
5.0
7.2
0.1
15
Unit
V
V
m A
pF
1. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
2. V BR is measured at pulse test current I T .
http://onsemi.com
2
相关PDF资料
PDF描述
NUP6012PMUTAG TVS ESD 6CH LOW CAP 6-UDFN
NUP6101DMR2 IC TVS ARRAY UNIDIR 300W 8MICRO
NUP8010MNT1G IC TVS ARRAY LO CAP DFN8
NWE115DHHN-T921 CONN PCI EXPRESS 230POS VERT PCB
NWE82DHRN-T941 CONN PCI EXPRESS 164POS VERT PCB
相关代理商/技术参数
参数描述
NUP6012PMU 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Six-Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP6012PMUTAG 功能描述:TVS二极管阵列 ULT LO CAP ESD PRTCT 6 CHANNEL RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
NUP6101DMR2 功能描述:IC TVS ARRAY UNIDIR 300W 8MICRO RoHS:否 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:1,800 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):28V 电压 - 击穿:31.1V 功率(瓦特):400W 电极标记:双向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商设备封装:DO-214AC(SMA) 包装:带卷 (TR) 其它名称:SMAJ28CA-E3/61-NDSMAJ28CA-E3/61GITR
NUP6101DMR2/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Unidirectional TVS Array for High-Speed Data Line Protection
NUP8010MN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array