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参数资料
| 型号： | NVD4804NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 30A，11.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4490pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.43W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NVD4804NT4GOSDKR |
NTD4804N, NVD4804N
PACKAGE DIMENSIONS
3.5 MM IPAK, STRAIGHT LEAD
CASE 369AD ? 01
ISSUE A
L2
L1
E
E3
D
A
A1
E2
D2
NOTES:
1.. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M, 1994.
2.. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. DIMENSION b APPLIES TO PLATED TERMINAL
AND IS MEASURED BETWEEN 0.15 AND
0.30mm FROM TERMINAL TIP.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE
MOLD GATE OR MOL D FLASH.
MILLIMETERS
T
SEATING
PLANE
b1
2X e
L
3X
b
0.13
M
T
A1
A2
E2
D2
DIM
A
A1
A2
b
b1
D
D2
E
E2
E3
e
L
L1
L2
MIN MAX
2.19 2.38
0.46 0.60
0.87 1.10
0.69 0.89
0.77 1.10
5.97 6.22
4.80 ???
6.35 6.73
4.57 5.45
4.45 5.46
2.28 BSC
3.40 3.60
??? 2.10
0.89 1.27
OPTIONAL
CONSTRUCTION
IPAK
CASE 369D ? 01
ISSUE C
V
B
R
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
S
? T ?
SEATING
PLANE
1
4
2
3
A
K
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.350 0.380
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
F
G
J
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
H
R 0.180 0.215
S 0.025 0.040
V 0.035 0.050
Z 0.155 ???
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
4.45 5.45
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
http://onsemi.com
8
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参数描述 |
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| NVD4809NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD4810NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
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