型号: | NX1-32T-KT9K(05) |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | NX1-32T-KT9K(05) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NX138AKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):325mW (Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 190mA, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
NX138AKSX | 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 170mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 |
NX138BKR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):265mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.49nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
NX138BKSX | 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):210mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 200mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 |
NX138BKWX | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):210mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):266mW(Ta), 1.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SC-70 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 |