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参数资料
| 型号： | NZ48F4L0QBZ |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 无线的StrataFlash存储器 |
| 文件页数： | 8/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QBZ |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
8
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTY | StrataFlash Wireless Memory |
| NZ48F4L0QTZ | StrataFlash Wireless Memory |
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(带ESD保护功能的EMI滤波器) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTY | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ48F4L0QTZ | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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