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参数资料
| 型号： | OP224S |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE IR HERMETIC GAAIAS PILL |
| 产品培训模块： | LED Thermal Management |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 波长： | 890nm |
| 正向电压： | 1.8V |
| 视角： | 24° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 微型粒状 |
| 包装： | 散装 |
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP123, OP124
OP223, OP224
OP123, OP124
Forward Voltage vs Forward Current vs
1.8
1.7
Temperature
4.0
3.5
Optical Power vs I F vs Temp
Normalized at 20 mA and 20 o C
1.6
1.5
1.4
1.3
3.0
2.5
2.0
-65°C
-40°C
-20°C
+0°C
+20°C
+40°C
+60°C
+80°C
+100°C
+125°C
1.2
1.1
1.0
0.9
-65°C
-40°C
-20°C
+0°C
+20°C
+40°C
+60°C
+80°C
+100°C
+125°C
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
9
Forward Current (mA)
Distance vs Output Power vs Forward Current
1.1
Forward Current I F (mA)
Normalized Intensity vs Beam Angle
8
7
6
5
4
3
Normalized at 0.6" and 50 mA
Forward Current
10 mA
20 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
80 mA
100 mA
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
2
0.2
1
0.1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0
-45
-35
-25
-15
-5
5
15
25
35
45
Distance (inches)
Normalized Intensity
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 05/07
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP230WPS | DIODE INFRARED EMITTING HERMETIC |
| OP234W | DIODE IR HS HP GAAIAS FLAT TO-46 |
| OP235TXV | DIODE IR EMITTING GAAIAS TO-46 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP224TX | 功能描述:红外发射源 890NM 100mW 100mA RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP224TXV | 功能描述:红外发射源 890NM 100mW 100mA RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP225 | 功能描述:红外发射源 Infrared LED 850nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP227 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Dual, Low Noise, Low Offset Instrumentation Operational Amplifier |
| OP-227 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:DUAL, LOW-NOISE LOW OFFSET INSTRUMENTATION OPERATIONAL AMPLIFIER |
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