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参数资料
| 型号： | OP285GSZ-REEL7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP 9MHZ DUAL PREC 8SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 22 V/µs |
| 增益带宽积： | 9MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 35µV |
| 电流 - 电源： | 4mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 9 V ~ 44 V，±4.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
REV. A
OP285
–6–
250
0
250
150
50
100
–250
200
150
50
0
–150
UNITS
TA= 25 C
402
OP AMPS
INPUT OFFSET –
V
–50
–100
–200
200
100
TPC 19. Input Offset (VOS)
Distribution
10
0%
100
90
200nS
5V
TPC 22. Negative Slew Rate
RL =2 k
, VS = ±15 V, AV = +1
0 Hz
2.5 KHz
BW: 15.0 MHz
MKR: 1 000 Hz
CH A: 80.0
V FS
10.0
V/DIV
MKR: 6.23
V/ Hz
TPC 25. OP285 Voltage Noise Density
vs. Frequency VS =
±15 V, AV = 1000
10
–10
900
–4
–8
100
–6
0
2
–2
0
4
6
8
800
500 600
300 400
700
200
STEP
SIZE
–
V
SETTLING TIME – ns
+0.1%
+0.01%
–0.1%
–0.01%
TPC 20. Settling Time vs. Step Size
10
0%
100
90
200nS
5V
TPC 23. Positive Slew Rate
RL = 2 k
, VS = ±15 V, AV = +1
50
20
500
35
25
100
30
0
45
40
400
300
200
CAPACITIVE LOAD – pF
SLEW
RATE
–
V/
S
TA = 25 C
VS = 15V
–SR
+SR
TPC 21. Slew Rate vs.
Capacitive Load
10
0%
100
90
100nS
50mV
TPC 24. Small Signal Response
RL =2 k
, VS = ±15 V, AV = +1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBC16DAFN | CONN HEADER .100 DUAL STR 32POS |
| PEC35DFBN | CONN HEADER .100 DUAL STR 70POS |
| 929838-04-25 | CONN HEADER .100 DUAL R/A 50POS |
| 102699-8 | 18 MODII HDR DRST SHRD A/PIN |
| FTSH-109-01-L-DV | CONN HEADER 18POS DUAL .05" SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP290 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Low Power, Micropower Dual Operational Amplifier |
| OP-290 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:PRECISION, LOW POWER, MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
| OP290_03 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Low Power, Micropower Dual Operational Amplifier |
| OP2900005P | 制造商:Analog Devices 功能描述: |
| OP290A | 功能描述:红外发射源 IR EMITTING DIODE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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