参数资料
型号: OP293A
厂商: OPTEK TECHNOLOGY INC
元件分类: 红外LED
英文描述: GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diodes
中文描述: 4.65 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 890 nm
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-18, 2 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 515K
代理商: OP293A
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
OP293B 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
OP293B 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:INFRARED LIGHT EMITTING DIODE 890 NM wA
OP293C 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
OP293EP 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Micropower Operational Amplifiers
OP293ES 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源,单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V,±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)