参数资料
型号: OP295GSZ
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 11/16页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP R-R 85KHZ DUAL 8SOIC
标准包装: 98
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 0.03 V/µs
增益带宽积: 85kHz
电流 - 输入偏压: 7nA
电压 - 输入偏移: 300µV
电流 - 电源: 175µA
电流 - 输出 / 通道: 25mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 管件
产品目录页面: 768 (CN2011-ZH PDF)
OP295/OP495
Rev. G | Page 4 of 16
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage Swing High
VOH
RL = 10 kΩ to GND
2.9
V
Output Voltage Swing Low
VOL
RL = 10 kΩ to GND
0.7
2
mV
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
±1.5 V ≤ VS ≤ ±15 V
90
110
dB
±1.5 V ≤ VS ≤ ±15 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
85
dB
Supply Current per Amplifier
ISY
VOUT = 1.5 V, RL = ∞, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
150
μA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 10 kΩ
0.03
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
75
kHz
Phase Margin
θO
85
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
1.6
μV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
53
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
<0.1
pA/√Hz
VS = ±15.0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
300
500
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
800
μV
Input Bias Current
IB
VCM = 0 V
7
20
nA
VCM = 0 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
30
nA
Input Offset Current
IOS
VCM = 0 V
±1
±3
nA
VCM = 0 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
±5
nA
Input Voltage Range
VCM
15
+13.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
15.0 V ≤ VCM ≤ +13.5 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
90
110
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 10 kΩ
1000
4000
V/mV
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
1
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage Swing High
VOH
RL = 100 kΩ to GND
14.95
V
RL = 10 kΩ to GND
14.80
V
Output Voltage Swing Low
VOL
RL = 100 kΩ to GND
14.95
V
RL = 10 kΩ to GND
14.85
V
Output Current
IOUT
±15
±25
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±1.5 V to ±15 V
90
110
dB
VS = ±1.5 V to ±15 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
85
dB
Supply Current per Amplifier
ISY
VO = 0 V, RL = ∞, VS = ±18 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
175
μA
Supply Voltage Range
VS
3 (± 1.5)
36 (± 18)
V
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 10 kΩ
0.03
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
85
kHz
Phase Margin
θO
83
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
1.25
μV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
45
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
<0.1
pA/√Hz
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