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参数资料
| 型号： | OP298AC |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | Plastic Infrared Emitting Diode |
| 中文描述： | 4.65 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | OP298AC |
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. —
1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747
FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 05/07
Page 5 of 8
Plastic Infrared Emitting Diode
OP290 Series
Electrical Characteristics
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
Forward Voltage
(3)
OP290, OP295
OP291, OP296
OP292, OP297
OP293, OP298 (A, B, C)
OP298 (AA, AB, AC, AD)
OP294, OP299
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.00
2.00
1.75
2.00
2.00
1.50
V
I
F
= 1.50 A
I
F
= 100 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 1.50 A
I
F
= 100 mA
I
F
= 5 mA
I
R
Reverse Current
(3)
OP290, OP292
OP291, OP293, OP298 (A, B, C), OP296
OP298 (AA, AB, AC, AD)
OP294, OP299
OP295, OP297
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
100
100
10
10
μA
V
R
= 5 V
V
R
= 2 V
V
R
= 2 V
V
R
= 2 V
V
R
= 5 V
λ
P
Wavelength at Peak Emission
OP290, OP291, OP292, OP293, OP294,
OP295, OP296, OP297, OP298 (A, B, C),
OP299
OP298 (AA, AB, AC, AD)
-
-
890
875
-
-
nm
I
F
= 10 mA
B
Spectral Bandwidth between Half Power
Points
-
80
-
nm
I
F
= 10 mA
λ
P
/
T
Spectral Shift with Temperature
-
+0.18
-
nm/°C
I
F
= Constant
θ
HP
Emission Angle at Half Power Points
OP290, OP291, OP292, OP294
OP293
OP295, OP296, OP297, OP299
OP298
-
-
-
-
50
60
20
25
-
-
-
-
Degree
I
F
= 20 mA
t
r
Output Rise Time
-
500
-
ns
I
F(PK)
=100 mA, PW=10 μs, and
D.C.=10.0%
t
f
Output Fall Time
-
250
-
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP298AD | Plastic Infrared Emitting Diode |
| OP290A | Plastic Infrared Emitting Diode |
| OP290B | Plastic Infrared Emitting Diode |
| OP290C | Plastic Infrared Emitting Diode |
| OP291A | Plastic Infrared Emitting Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP298AD | 功能描述:红外发射源 Infrared 875nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP298B | 功能描述:红外发射源 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP298C | 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP299 | 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP3 | 制造商:VOX Power 功能描述: 制造商:Vox Power 功能描述: 制造商:VOX POWER LTD 功能描述: |
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