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参数资料
| 型号： | OP305 |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 875NM PEAK WAVELENGTH | 10M | DO-31VAR |
| 中文描述： | 光电晶体管|达林顿|为875nm峰值波长| 1000万|的DO - 31VAR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | OP305 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP301SL | NPN Silicon Photodarlington(NPN硅达林顿光晶体管，窄接收角，可替代OP300系列器件) |
| OP300SL | NPN Silicon Photodarlington(NPN硅达林顿光晶体管，窄接收角，可替代OP300系列器件) |
| OP303SL | NPN Silicon Photodarlington(NPN硅达林顿光晶体管，窄接收角，可替代OP300系列器件) |
| OP305SL | NPN Silicon Photodarlington(NPN硅达林顿光晶体管，窄接收角，可替代OP300系列器件) |
| OP302SL | NPN Silicon Photodarlington(NPN硅达林顿光晶体管，窄接收角，可替代OP300系列器件) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP305SL | 功能描述:光电晶体管 NPN PHOTODARLINGTON RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP315A | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OP315B | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OP316A | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| OP316B | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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