参数资料
| 型号： | OP413ESZ-REEL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 19/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP 3.4MHZ QUAD 16SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1.2 V/µs |
| 增益带宽积： | 3.4MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 240nA |
| 电压 - 输入偏移： | 125µV |
| 电流 - 电源： | 3mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 36 V，±2 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
OP113/OP213/OP413
Rev. F | Page 4 of 24
E Grade
F Grade
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
AUDIO PERFORMANCE
THD + Noise
VIN = 3 V rms, RL = 2 kΩ,
f = 1 kHz
0.0009
%
Voltage Noise Density
en
f = 10 Hz
9
nV/√Hz
f = 1 kHz
4.7
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.4
pA/√Hz
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
120
nV p-p
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
0.8
1.2
0.8
1.2
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
3.4
MHz
Channel Separation
VOUT = 10 V p-p
RL = 2 kΩ, f = 1 kHz
105
dB
Settling Time
tS
to 0.01%, 0 V to 10 V step
9
μs
1 Long-term offset voltage is guaranteed by a 1000 hour life test performed on three independent lots at 125°C, with an LTPD of 1.3.
2 Guaranteed specifications, based on characterization data.
@ VS = 5.0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
E Grade
F Grade
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
OP113
125
175
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
175
250
μV
OP213
150
300
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
225
375
μV
OP413
175
325
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
250
400
μV
Input Bias Current
IB
VCM = 0 V, VOUT = 2
300
650
nA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
750
nA
Input Offset Current
IOS
VCM = 0 V, VOUT = 2
40°C ≤ TA ≤ +85°C
50
nA
Input Voltage Range
VCM
0
4
V
Common-Mode Rejection
CMR
0 V ≤ VCM ≤ 4 V
93
106
90
dB
0 V ≤ VCM ≤ 4 V,
40°C ≤ TA ≤ +85°C
90
87
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
OP113, OP213,
RL = 600 Ω, 2 kΩ,
0.01 V ≤ VOUT ≤ 3.9 V
2
V/μV
OP413, RL = 600, 2 kΩ,
0.01 V ≤ VOUT ≤ 3.9 V
1
V/μV
Long-Term Offset Voltage1
VOS
200
350
μV
Offset Voltage Drift2
VOS/T
0.2
1.0
1.5
μV/°C
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