参数资料
型号: OP505B
厂商: TT Electronics/Optek Technology
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描述: PHOTOTRANSISTOR IR 3MM 935NM NPN
标准包装: 1
系列: *
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 5.95mA
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 935nm
功率 - 最大: 100mW
安装类型: 通孔
方向: 顶视图
封装/外壳: T-1
其它名称: 365-1067
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PDF描述
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参数描述
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OP505D 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP505D 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:PHOTOSENSOR PHOTOTRANSISTOR OuTPuT IRR
OP505W 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP506A 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1