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参数资料
| 型号： | OP505W |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | OP505W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP506A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506C | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506D | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP509A | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶体管，集电极最小电流5.7mA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP506A | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506B | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506W | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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