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参数资料
| 型号： | OP506D |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 3mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | T-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP506W | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
| OP508FC | PHOTOTRANS SILICON NPN FLAT LENS |
| OP509C | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK |
| OP520DA | PHOTODARLINGTON NPN BLK 1206 SMD |
| OP521 | PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP506W | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP508F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | LED-7C |
| OP508FA | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP508FB | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP508FC | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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