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参数资料
| 型号： | OP538F |
| 厂商： | Optek Technology |
| 英文描述： | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| 中文描述： | NPN硅PHOTODARLINGTON |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | OP538F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP538FA | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP538FB | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
| OP538FC | IND 10UH 20% 13X9.5X5.2 |
| OP550A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP550B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP538F-001 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述: |
| OP538FA | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP538FB | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP538FC | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP540/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP540/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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