型号: | OP538FA |
厂商: | OPTEK TECHNOLOGY INC |
元件分类: | 光敏三极管 |
英文描述: | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
中文描述: | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 79K |
代理商: | OP538FA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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OP538FB | NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
OP538FC | IND 10UH 20% 13X9.5X5.2 |
OP550A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP550B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP550C | INDUCTOR, 100UH, 1.2A, 0.28 OHM DCR, SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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OP538FB | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
OP538FC | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
OP540/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP540/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
OP546/BD,005 | 功能描述:MOSFET OP546/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
OP550A | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |