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参数资料
| 型号： | OP555B |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流1.30mA,可替代K5550) |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | OP555B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP555C | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流0.25mA,可替代K5550) |
| OP555D | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流0.25mA,可替代K5550) |
| OP560A | INDUCTOR, 100UH, 1.2A, 0.28 OHM DCR, SMT |
| OP560B | NPN Silicon Photodarlington |
| OP560C | NPN Silicon Photodarlington |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP555C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP555D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP556/T,005 | 功能描述:MOSFET OP556/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP558/A,005 | 功能描述:MOSFET OP558/UNCASED/FOIL//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP560A | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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