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参数资料
| 型号： | OP555C |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS SILICN NPN SIDE LOOK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2.4mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 56° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP555B | PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK |
| OP555A | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK |
| 5754 | ADAPTER KIT ACCESSORY RCA MALE |
| 5739 | ADAPTER KIT ACCESSORY BNC FEMALE |
| OP599D | PHOTOTRNS PLSTC SILCN NPN T1 3/4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP555D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP556/T,005 | 功能描述:MOSFET OP556/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP558/A,005 | 功能描述:MOSFET OP558/UNCASED/FOIL//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP560A | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP560B | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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