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参数资料
| 型号： | OP600B |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| 中文描述： | 光电晶体管|叩| 890NM峰值波长|药丸的 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | OP600B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP600C | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
| OP600 | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP600A | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流1.20mA) |
| OP600B | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管，宽接收角，集电极最小电流0.60mA) |
| OP600C | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管，窄接收角，集电极最小电流0.30mA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP600C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP601 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
| OP602 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP602TX | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP602TXV | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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