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参数资料
| 型号： | OP600B |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 25V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 890nm |
| 功率 - 最大： | 50mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 丸状 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP641SL | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
| OP705D | PHOTOTRANSISTR NPN W/RES T-1 |
| OP750D | PHOTOTRNS NPN W/RES SIDE LOOK |
| OP755D | PHOTOTRNS NPN W/RES SIDE LOOK |
| OP770C | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP600C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP601 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
| OP602 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP602TX | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP602TXV | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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