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参数资料
| 型号： | OP770C |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2.8mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
Types OP770A, OP770B, OP770C, OP770D
Elec tri cal Char ac ter is tics (T A = 25 o C un less oth er wise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP MAX UNITS
TEST CON DI TIONS
I C(ON)
On-State Collector Current
OP770D
OP770C
OP770B
0.85
0.85
1.50
7.00
2.80
4.20
mA
V CE = 5.0 V, E e = 1.0 mW/cm 2(3)
OP770A
2.25
7.00
? I C / ? T
I CEO
V (BR)ECO
V CE(SAT)
C CE
Relative IC Changes with Temperature
Collector Dark Current
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Capacitance
5.0
100
1000
100
0.40
%/ ° C
nA
V
V
pF
V CE = 5.0 V, E e = 1.0 mW/cm 2 , λ
= 935 nm
V CE = 10.0 V, E e = 0
I E = 100 μ A
I C = 100 μ A, E e = 1.0 mW/cm 2(3)
V R = 0
Typi cal Per form ance Curves
Normalized Output
vs. Frequency
Typical Rise and Fall Time
vs. Load Resistance
LED = GaAIAs, λ = 890
V CC = 5 V
V RL = 1 V
1.00
.75
.50
.25
OP770
VR L = 1 V
VCE = 5 V
50% Duty Cycle
OP550
160
140 n m
120
100
80 f = 100 Hz
60 PW = 1 mS
40
OP770
OP550
0.0
1
RL = 10 K ?
10 100
Frequency - KHz
1000
20
0
0
2 4 6 8
R L - Load Resistance - K ?
10
Op tek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble
Op tek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car roll ton, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP775C | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK |
| OP798D | PHOTOTRANS NPN W/RESISTOR TO-18 |
| OP800D | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP800WSL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP803SL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP770D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP775A | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP775B | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP775C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP775D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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