- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录496 > OP798D (TT Electronics/Optek Technology)PHOTOTRANS NPN W/RESISTOR TO-18 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | OP798D |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS NPN W/RESISTOR TO-18 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 890nm |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | TO-18-2 |
Elec tri cal Char ac ter is tics (T A = 25 C un less oth er wise noted)
Types OP793, OP798 Series
o
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP MAX UNITS
TEST CON DI TIONS
On-State Collector Current
I C(ON)
OP793A
OP793B
2.45
1.65
7.50
4.55
mA
V CE = 5 V, E e = 1.7 mW/cm 2(3)
On-State Collector Current
OP793C
OP793D
0.90
0.90
3.05
7.50
I C(ON)
OP798A
OP798B
4.90
3.30
15.0
9.20
mA
V CE = 5 V, E e = 1.7 mW/cm 2(3)
OP798C
OP798D
1.90
1.90
6.10
15.0
E KP
Knee Point Irradiance
OP793
OP798
.10
.04
mW/cm 2
V CE = 5 V (4)
I CEO
I ECO
V (BR)ECO
V CE(SAT)
Collector-Emitter Dark Current
Emitter-Reverse Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
30
100
100
0.4
nA
μ A
V
V
V CE = 10 V, E e = 0
V CE = 0.4 V
I C = 100 μ A
I C = 0 .4 mA, E e = 1.7 mW/cm 2(3)
Op tek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op tek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car roll ton, Texas 75006 (972) 323- 2200 Fax (972) 323- 2396
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP800D | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP800WSL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP803SL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP805TXV | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN TO-18 |
| OP830SL | PHOTODARLINGTON SILICON NPN TO18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP-80 | 制造商:SK Kohki 功能描述: |
| OP800 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN Silicon Phototransistors |
| OP800A | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP800B | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP800C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。