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参数资料
| 型号： | OP801SL |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 890nm |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP300SL | PHOTO DARLINGTON NPN 15V 850NM |
| OP800SL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| 218-2LPST | SWITCH DIP HALF PITCH 2POS |
| 219-8LPST | SWITCH TAPE SEAL 8 POS SMD |
| 308S1 | CABLE DC FEMALE STR SGL 8POS 1M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP801W | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | TO-18 |
| OP801WSL | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP802 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN Silicon Phototransistors |
| OP802SL | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP802SL | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
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