参数资料
| 型号： | OP90GSZ-REEL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP PREC 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 0.012 V/µs |
| 电流 - 输入偏压： | 4nA |
| 电压 - 输入偏移： | 125µV |
| 电流 - 电源： | 14µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 5mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.6 V ~ 36 V，±0.8 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
OP90
Rev. C | Page 13 of 13
REVISION HISTORY
12/11—Rev. B to Rev. C
Deleted 8-Lead Hermetic DIP (Z-Suffix) Package
(Q-8).....................................................................................Universal
Changes to Electrical Characteristics ............................................ 2
Changes to Electrical Characteristics ............................................ 4
Changes to Absolute Maximum Ratings ....................................... 5
Changes to Figure 7, 2-Wire 4 mA to 20 mA Current
Transmitter Section, and Figure 9 .................................................. 9
Changes to Figure 10 and Figure 11............................................. 10
Changes to Figure 12...................................................................... 11
Updated Outline Dimensions ....................................................... 12
Changes to Ordering Guide .......................................................... 12
5/02—Rev. A to Rev. B
Edits to 8-Lead SOIC Package (R-8)............................................ 12
9/01—Rev. 0 to Rev. A
Edits to Pin Connections................................................................. 1
Edits to Electrical Characteristics ......................................... 2, 3, 4
Edits to Ordering Information ........................................................5
Edits to Absolute Maximum Ratings ..............................................5
Edits to Package Type .......................................................................5
Deleted OP90 Dice Characteristics.................................................5
Deleted Wafer Test Limits ................................................................5
2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
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D00321-0-12/11(C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD8065ART-REEL | IC OPAMP VF R-R LN LP SOT23-5 |
| LPPB061NFSC-RC | CONN HEADER .050" 6POS SMD GOLD |
| LTC6101AHS5#TRMPBF | IC AMP CURRENT SENSE TSOT23-5 |
| AD8672ARZ-REEL7 | IC OPAMP GP 10MHZ DUAL LN 8SOIC |
| TA35-CKDWF100C0 | CIRCUIT BRKR THERMAL 10A 3POLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP90GSZ-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP GP PREC 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 产品培训模块:Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications 标准包装:1 系列:- 放大器类型:RF/IF 差分 电路数:1 输出类型:差分 转换速率:9800 V/µs 增益带宽积:- -3db带宽:2.9GHz 电流 - 输入偏压:3µA 电压 - 输入偏移:- 电流 - 电源:40mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘，CSP 供应商设备封装:16-LFCSP-VQ 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:551 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:ADL5561ACPZ-R7CT |
| OP910 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP910W | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913SL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913WSL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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