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参数资料
| 型号： | OP910 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE SILICON DOME TO-46 |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 885nm |
| 光谱范围： | 600nm ~ 1100nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 10ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 暗（标准）： | 1nA |
| 视角： | 24° |
| 工作温度： | -65°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
Elec tri cal Char ac ter is tics (T A = 25 C un less oth er wise noted)
Type OP910
o
SYM BOL
PARAMETER
MIN
TYP MAX UNITS
TEST CON DI TIONS
I L
Light Current
10
13
μ A
V R = 20 V, E e = .50 mW/cm 2 note
2,3
I D
V (BR)R
t r
t f
?
C P
Dark Current
Reverse Voltage Breakdown
Rise Time
Fall Time
Half Angle
Capacitance
100
1
10
10
+/- 12
13
10
nA
V
nS
nS
degr.
pF
V R = 20 V, E e = 0.0
I R = 100 μ A
V R = 20 V, R L = 50 OHMS
V R = 20 V, R L = 50 OHMS
I F = Constant
V R = 0 V, F = 1 Mhz, E e = 0
Typi cal Per form ance Curves
Normalized Light Current vs
Reverse Voltage
Total Capacitance vs
Reverse Voltage
T A = 25 o C
E e = 0 mW/cm 2
f = 1 MHz
Normalized Light and Dark
Current vs Ambient Temperature
V R = 5 V
λ = 935 nm
Normalized to T A = 25 o C
Light Current
T A = 25 o C
λ = 935 nm
Dark Current
T A - Ambient Temperature - o C
V R - Reverse Voltage - V
V R - Reverse Voltage - V
Light Current vs Irradiance
Switching Time Test Circuit
E e - Irradiance - mW/cm 2
Op tek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op tek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car roll ton, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323-2396
3-71
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP913SL | PHOTODIODE SILICON PIN TO-5 |
| OP950 | PHOTODIODE PIN 935NM SIDELOOK |
| OP954 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
| OP955 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
| OP993 | PHOTODIODE SILICON PIN TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP910W | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913SL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913WSL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP915 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP916 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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