参数资料
| 型号： | OP97FSZ-REEL7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP LP PREC 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 0.2 V/µs |
| -3db带宽： | 900kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 30pA |
| 电压 - 输入偏移： | 30µV |
| 电流 - 电源： | 380µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±2 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | OP97FSZ-REEL7DKR |
OP97
Rev. G | Page 16 of 16
ORDERING GUIDE
Model
Temperature Range
Package Description
Package Option
OP97EP
–40°C to +85°C
8-Lead PDIP
N-8
OP97EPZ1
–40°C to +85°C
8-Lead PDIP
N-8
OP97FP
40°C to +85°C
8-Lead PDIP
N-8
OP97FPZ1
40°C to +85°C
8-Lead PDIP
N-8
OP97FS
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
OP97FS-REEL
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
OP97FS-REEL7
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
OP97FSZ-REEL1
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
OP97FSZ-REEL71
40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
R-8
1 Z = RoHS Compliant Part.
1997–2009 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D00299-0-3/09(G)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50006-XX010 | 3 ROW VERTICAL HDR.PRESS FIT |
| 0001.1013.PT | FUSE 8A 250V 5X20 FAST CERM |
| 0001.1007.PT | FUSE 2A 250V 5X20 FAST CERM |
| 0001.2506.PT | FUSE 1.6A 250V 5X20 T-LAG CERM |
| TSW-104-26-L-D | CONN HEADER 8POS .100" DUAL GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP97FZ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:LOW-POWER, LOW BIAS CURRE - Bulk |
| OP980 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP993 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP993 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "P-N") P |
| OP999 | 功能描述:光电二极管 Narrow Rcvng Angle 935nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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