参数资料
| 型号： | OPA659IDBVT |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 12/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| 增益带宽积： | 350MHz |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 32mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 855 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-24971-6 |
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
+V
S
Output
NC
InvertingInput
NoninvertingInput
-
V
S
1
2
3
5
4
+V
S
InvertingInput
Output
-
V
S
NoninvertingInput
SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.
ORDERING INFORMATION(1)
SPECIFIED
PACKAGE
TEMPERATURE
PACKAGE
ORDERING
TRANSPORT
PRODUCT
PACKAGE-LEAD
DESIGNATOR
RANGE
MARKING
NUMBER
MEDIA, QUANTITY
OPA659IDBVT
Tape and reel, 250
OPA659
SOT23-5
DBV
–40°C to +85°C
BZX
OPA659IDBVR
Tape and reel, 3000
OPA659IDRBT
Tape and reel, 250
OPA659
VSON-8
DRB
–40°C to +85°C
OBFI
OPA659IDRBR
Tape and reel, 3000
(1)
For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at www.ti.com.
Over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).
OPA653
UNIT
Power Supply Voltage VS+ to VS–
±6.5
V
Input Voltage
±VS
V
Input Current
100
mA
Output Current
100
mA
Continuous Power Dissipation
See Thermal Characteristics
Operating Free Air Temperature Range, TA
–40 to +85
°C
Storage Temperature Range
–65 to +150
°C
Maximum Junction Temperature, TJ
+150
°C
Maximum Junction Temperature, TJ (continuous operation for long term reliability)
+125
°C
Human Body Model (HBM)
4000
V
ESD
Charge Device Model (CDM)
1000
V
Rating:
Machine Model
200
V
DRB PACKAGE
DRV PACKAGE
VSON-8
SOT23-5
(TOP VIEW)
Note:
NC: Not connected.
2
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PA60DK | OP AMP DL HV 40V 1A 20P PSOP DK |
| PA69EU | OP AMP HS 200V 12P SIP EU |
| PC93-300-300-5.0-0 | PC93 SHEET 300X300X5MM |
| PC94-300-300-5.0-0 | PC94 SHEET 300X300X5MM |
| PC99-100-100-0.06-0 | PC99 SHEET 100X100X0.06MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
| OPA660 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER |
| OPA660AP | 功能描述:IC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 产品变化通告:Discontinuation 18/May/2012 标准包装:2,000 系列:- 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:0.42 V/µs 增益带宽积:1.5MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:15nA 电压 - 输入偏移:1000µV 电流 - 电源:116µA 电流 - 输出 / 通道:100mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5 V，±0.9 V ~ 2.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:851 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-20930-2 |
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