参数资料
| 型号： | OPA659IDRBR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 32/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON |
| 标准包装： | 3,000 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 2550 V/µs |
| 增益带宽积： | 350MHz |
| -3db带宽： | 650MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 10pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 32mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SON 裸露焊盘（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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3
2
1
0
1
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3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
S
L
W
±
-
40
50
60
70
80
90
100
-
IntermodulationDistortion(dBc)
0
50
100
150
Frequency(MHz)
Second-Order
Third-Order
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
Two-Tone,1MHzSpacing
1V
EachTone
S
L
W
±
PP
3
2
1
0
1
2
3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain= 2V/V
S
L
W
-
±
1000
100
10
1
Input-ReferredV
oltageNoise(nV/
)
Input-ReferredCurrentNoise(fA/
Hz
)
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency(Hz)
6
Input-Referred
VoltageNoise
Input-Referred
CurrentNoise
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CMRR,PSRR(dB)
100k
1M
10M
100M
Frequency(Hz)
+PSRR
-
PSRR
CMRR
100
10
1
R
(
)
W
ISO
10
100
1000
CapacitiveLoad(pF)
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
TWO-TONE, SECOND- AND THIRD-ORDER IMD
vs FREQUENCY
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = +2V/V)
Figure 19.
Figure 20.
INPUT-REFERRED VOLTAGE AND CURRENT NOISE
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = –2V/V)
DENSITY
Figure 21.
Figure 22.
COMMON-MODE REJECTION RATIO AND
POWER-SUPPLY REJECTION RATIO
RECOMMENDED RISO
vs FREQUENCY
vs CAPACITIVE LOAD (RLOAD = 1k)
Figure 23.
Figure 24.
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
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Product Folder Link(s): OPA659
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX4104ESA+T | IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC |
| P40-G240-WHX | CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU |
| RL0510S-R10-F | RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402 |
| 5MT 100-R | FUSE 100MA 250VAC 5X20 NORM |
| 5MT 1.6-R | FUSE 1.6A 250VAC 5X20 NORM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速运算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
| OPA660 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER |
| OPA660AP | 功能描述:IC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 产品变化通告:Discontinuation 18/May/2012 标准包装:2,000 系列:- 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:0.42 V/µs 增益带宽积:1.5MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:15nA 电压 - 输入偏移:1000µV 电流 - 电源:116µA 电流 - 输出 / 通道:100mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5 V，±0.9 V ~ 2.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:851 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-20930-2 |
| OPA660AU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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