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参数资料
型号： OPB702R
厂商： TT Electronics/Optek Technology
文件页数： 2/3页
文件大小： 0K
描述： SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB
标准包装： 1
检测距离： 0.150"（3.81mm）
检测方法： 反射
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 15V
电流 - DC 正向(If)： 50mA
输出类型： 晶体管，发射极基极电阻器
安装类型： 通孔
封装/外壳： PCB 安装
包装： 散装
工作温度： -40°C ~ 85°C
Reflective Object Sensor
OPB702, OPB702D, OPB702R, OPB702RR
Absolute Maximum Ratings (T A =25°C unless otherwise noted)
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
Storage & Operating Temperature Range
Input Diode
Peak Forward Current
Reverse Voltage
(2)
-40° C to +85° C
260° C
50 mA
2V
Power Dissipation]
(1)
100 mW
Output Photosensor
Collector-Emitter Voltage
OPB702, OPB702R
OPB702D, OPB702RR
Emitter-Collector Voltage
30 V
15 V
5V
Power Dissipation]
(1)
100 mW
Electrical Characteristics (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP265 or OP165 for Infrared LED & OVLAS6CB8 for Red LED for additional information)
V F
I R
Forward Voltage
Reverse Current
(Infrared LED)
Red (VLED)
-
-
-
-
1.7
2.4
100
V
μA
I F = 20 mA
I F = 40 mA
V R = 2 V
Output Phototransistor (see OP505 for Phototransistor, OP705 for Rbe-Phototransistor, OP535 for Photodarlington)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V (BR)CEO
OPB702
OPB702D
OPB702R, OPB702RR
30
15
30
-
-
-
-
-
-
V
I C = 100 μA, I F = 0, E e = 0
I C = 1 mA, I F = 0, E e = 0
I C = 1 mA, I F = 0, E e = 0
Emitter-Collector Breakdown Voltage
V (BR)ECO
I ECO
OPB702
OPB702D
Emitter-Reverse Current
OPB702R, OPB702RR
5
5
-
-
-
-
-
-
100
V
V
μA
I E = 100 μA, I F = 0, E E = 0
I E = 100 μA, I F = 0, E E = 0
V CE = 0.4 V, I F = 0, E E = 0
Collector Dark Current
I CEO
OPB702
OPB702D
OPB702R, OPB702RR
-
-
-
-
-
-
100
250
100
nA
nA
nA
V CE = 10 V, I F = 0, E E = 0
V CE = 10 V, I F = 0, E E = 0
V CE = 10 V, I F = 0, E E = 0
Combined
V CE(SAT)(3)
(4)
Collector-Emitter Saturation Voltage
OPB702
OPB702D
OPB702R, OPB702RR
-
-
-
-
-
-
0.4
1.1
0.4
V
V
V
I F = 40 mA, I C = 250 μA, d = .15” (3.81 mm)
I F = 40 mA, I C = 400 μA, d = .15” (3.81 mm)
I F = 40 mA, I C = 250 μA, d = .15” (3.81 mm)
On-State Collector Current
I C(ON)
(3)(4)
OPB702
OPB702D
OPB702R
0.1
3.2
0.4
-
-
-
1.0
65.0
6.0
mA
I F = 40 mA, V CE = 5 V, d = .15” (3.81 mm)
OPB702RR
0.2
-
3.5
Notes:
(1)
(2)
(3)
(4)
Derate linearly 1.67 mW/°C above 25 ° C.
RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
d is the distance from the assembly face to the reflective surface.
Measured using Eastman Kodak gray card. The white side of the card is used as a 90% diffuse reflectance surface. Reference:
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A.1 12/06
Page 2 of 3
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
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PDF描述
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参数描述
OPB702RR 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor Rbe 640nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel
OPB703 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel
OPB703A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
OPB703W 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel
OPB703WZ 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel
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