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参数资料
| 型号： | OPB745 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB |
| 产品目录绘图： | OPB74(2,5) |
| 标准包装： | 1 |
| 检测距离： | 0.150"（3.81mm） |
| 检测方法： | 反射 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 15V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 40mA |
| 输出类型： | 光电达林顿管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | PCB 安装 |
| 包装： | 散装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 产品目录页面： | 2788 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1015 |
Reflective Object Sensor
OPB708, OPB709
OPB740 Series, OPB740WZ Series
Electrical Characteristics (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Output R BE Phototransistor (See OP705 for general information — for reference only)
V (BR)CEO
I CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Dark Current
24
-
-
-
-
100
V
nA
I C = 100 μA
V CE = 10 V, I F = 0, E E =0
Output Phototransistor (See OP505 for general information — for reference only)
V (BR)CEO
V (BR)ECO
I CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector Dark Current
30
5
-
-
-
-
-
-
100
V
V
nA
I C = 100 μA
I E = 100 μA
V CE = 10 V, I F = 0, E E =0
Output Photodarlington (See OP535 for general information — for reference only)
V (BR)CEO
V (BR)ECO
I CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Dark Current
OPB709, OPB745, OPB745WZ
15
5
-
-
-
-
-
-
25
V
V
μA
I C = 100 μA
I E = 100 μA
V CE = 5 V, I F = 0, E E =0
Coupled
Saturation Voltage
V CE(SAT)
OPB708
OPB709
-
-
-
-
0.40
1.10
V
I F = 40 mA, I c = 3 μA , d = 0.15” (1)(2)
On-State Collector Current
OPB708
OPB709
OPB740, OPB740WZ
OPB741, OPB741W Z
0.01
1.00
0.05
0.05
-
-
-
-
3.00
-
2.50
2.50
I C(ON)(1)(2)
OPB742, OPB742WZ
OPB743, OPB743WZ
0.01
0.20
-
-
0.70
2.00
mA
V CE = 5 V, I F = 40mA ,
d = 0.15” (3.810 mm)
OPB744, OPB744WZ
OPB745, OPB745WZ
OPB746WZ
OPB747WZ
OPB748WZ
0.20
5.00
0.50
0.01
0.01
-
-
-
-
-
2.00
26.0
2.50
0.70
0.70
Crosstalk
OPB708, OPB709,
OPB740, OPB740WZ
OPB741, OPB741WZ
OPB742, OPB742WZ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10.0
10.0
1.0
I CX(3)
OPB743, OPB743WZ
OPB744, OPB744WZ
-
-
-
-
20.0
20.0
μA
V CC = 5 V, I F = 40mA
OPB745, OPB745WZ
OPB746WZ
OPB747WZ
OPB748WZ
-
-
-
-
-
-
-
-
25.0
1.0
1.0
1.0
Notes:
1. The distance from the assembly face to the reflective surface is “d”.
2. Reflective surface is Eastman Kodak (Catalog #190 3061) neutral white test card with 90% diffuse reflectance as a reflecting surface.
3. Crosstalk is the photocurrent measured with current to the input diode, no reflective surface and no ambient light (E E = 0).
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue C 10/11
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OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 545S5S144 | CABLE R/A FEMALE-FEMAL 5POS 12' |
| 559P9S36 | CBL STR MALE-R/A FEMALE 9POS 3' |
| OPB706B | SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB |
| OPB608R | SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB |
| OPB608B | SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPB745W | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| OPB745WZ | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| OPB746WZ | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| OPB747WZ | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| OPB748WZ | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
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