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参数资料
| 型号： | OPB801W55Z |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 194K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT |
| 标准包装： | 1 |
| 检测距离： | 0.375" (9.53mm) |
| 检测方法： | 可传导的 |
| 输出配置： | 光电晶体管 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块，预接线 |
| 包装： | 散装 |
| 类型： | 无放大 |
| 工作温度： | -40°C ~ 80°C |
OPTEK Technology Inc. 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 02/2013
Page 3 of 5
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Wide Gap Slotted Optical Switch
OPB800 & OPB810 (L and W Series)
Notes:
(1) Derate linearly 1.67 mW/?C above 25?C.
(2) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(3) All parameters tested using pulse technique.
(4) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ketones.
(5) The W Series includes wire terminations of 24 (610 mm) 7-strand, 26 AWG UL insulated wire on each terminal. Each device
incorporates a wire strain relief at the housing surface. The insulation functions and colors are: anode (red), cathode (black),
phototransistor collector (white) and phototransistor emitter (green).
Electrical Characteristics (T
A
= 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
Forward Voltage
- - 1.7 V I
F
= 20 mA
I
R
Reverse Current
- - 100 礎 V
R
= 2 V
Output Phototransistor
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 - - V I
C
= 1 mA
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I
E
= 100 礎
I
CEO
Collector-Emitter Dark Current
- - 100 nA V
CE
= 10 V
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Parameter A (OPB800,OPB810)
Parameter B (OPB801,OPB811)
Parameter C (OPB802,OPB812)
-
-
-
-
-
-
0.4
0.4
0.6
V
V
V
I
C
= 250 礎, I
F
= 20 mA
I
C
= 500 礎, I
F
= 10 mA
I
C
= 1800 礎, I
F
= 20 mA
I
C(ON)
On-State Collector Current
Parameter A (OPB800,OPB810)
Parameter B (OPB801,OPB811)
Parameter C (OPB802,OPB812)
0.625
1.25
2.25
-
-
-
-
-
-
mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA
V
CE
= 0.6 V, I
F
= 20 mA
Combined
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XPCRDO-L1-0000-00403 | LED XLAMP XP-C RED/ORANGE SMD |
| OPB802W55Z | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT |
| XPCROY-L1-0000-00703 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
| OPB892T51Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| XPCROY-L1-0000-00702 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPB802L51 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Photo Gap Detector |
| OPB802L55 | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| OPB802W51 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Photo Gap Detector |
| OPB802W55 | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| OPB802W55Z | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
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