- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录62 > OPB821TXV (TT Electronics/Optek Technology)SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | OPB821TXV |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 2.03MM TRANS C-MT |
| 标准包装： | 1 |
| 检测距离： | 0.080"（2.03mm） |
| 检测方法： | 可传导的 |
| 输出配置： | 光电晶体管 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块，预接线 |
| 包装： | 散装 |
| 类型： | 无放大 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
Types OPB821TX, OPB821TXV
Op tek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op tek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car roll ton, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
Elec tri cal Char ac ter is tics (T
A
= 25
o
C un less oth er wise noted)
Sym bol
Pa rame ter
Min Typ Max Units
Test Con di tions
In put Di ode
V
F
Forward Voltage
(3)
1.00 1.35 1.70 V I
F
= 20.0 mA
1.20 1.55 1.90 V I
F
= 20.0 mA, T
A
= -55
o
C
0.80 1.20 1.60 V I
F
= 20.0 mA, T
A
= 100
o
C
I
R
Reverse Current
0.1 100
礎
V
R
= 2.0 V
Out put Pho to tran sis tor
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50 110
V I
C
= 1.0 mA, I
F
= 0
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage
7.0 10.0
V I
E
= 100 礎, I
F
= 0
I
C(off)
Collector-Emitter Dark Current
0.2 100 nA V
CE
= 10.0 V, I
F
= 0
10 100
礎
V
CE
= 10.0 V, I
F
= 0, T
A
= 100
o
C
Cou pled
I
C(on)
On-State Collector Current
(3)
800
礎
V
CE
= 10.0 V, I
F
= 20.0 mA
500
礎
V
CE
= 10.0 V, I
F
= 20.0 mA, T
A
= -55
o
C
500
礎
V
CE
= 10.0 V, I
F
= 20.0 mA, T
A
= 100
o
C
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.20 0.30 V
I
C
= 250 礎, I
F
= 20.0 mA
t
r
Output Rise Time
12.0 20.0 祍 V
CC
= 10.0 V, I
F
= 20.0 mA,
R
L
= 1,000 &
t
f
Output Fall Time
12.0 20.0 祍
(3) Meas ure ment is taken dur ing the last 500 祍 of a sin gle 1.0 ms test pulse. Heat ing due to in creased pulse rate or pulse width can cause
change in meas ure ment re sults.
13-39
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB825B | SENS OPTO SLOT 4.06MM TRANS THRU |
| OPB826SD | SENS OPTO SLOT 2.29MM 2 NPN THRU |
| OPB829B | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| OPB830W51 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| OPB845B | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OPB821XV | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:Hi- Rel Slot ted Op ti cal Switches |
| OPB821Z | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） SLOTTED SWITCH RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| OPB822S | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） Slotted Opt Switch Dual Channel RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| OPB822S_06 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:DUAL CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCHES |
| OPB822SD | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） DUAL SLOTTED 20mA 30V RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。